T005909　半导体器件可靠性物理

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高光渤等编著。

科学出版社1987年11月版。43．8万字。重点阐述发生在半导体器件内部导致器件失效的各种物理及化学效应，亦即失效机理。

共8章。

前2章简要叙述半导体器件的工艺结构、参数及温度特性。后6章分别论述热与热电反馈效应、界面效应、薄膜的高电流密度效应(电徙动)、静电效应、辐射效应及化学和电化学效应(温度效应)。

对于各种器件(包括双极型器件、砷化镓场效应器件、CMOS器件、大规模和超大规模集成电路)的失效机理，也分别在有关章节中予以介绍。