场效应管的特性及常用型号的参数

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各类场效应管的特性以及场效应管和半导体三极管的比较分别见表8．3－14和表8．3－15。

表8．3－14 各种场效应管的特性比较

注：r_ds为场效应管漏源间的交流电阻。

目前应用最广的是以二氧化硅为绝缘层的金属一氧化物—半导体场效应管，简称MOSFET或MOS管。常用场效应管的型号及参数见表8．3－16。使用场效应管时应注意如下事项：

表8．3－16 常用场效应管的型号及参数

❶ 场效应管通常制成漏极与源极可以互换的，但有些产品在制作时已将源极与衬底连在一起，故在使用前应注意检测。

❷ MOS管中有的产品将衬底引出(有四只管脚)，一般说来，P衬底接低电位，N衬底接高电位。

❸ 结型场效应管的栅源电压不允许接反，可以在开路状态下保存。而绝缘栅场效应管在不使用时须将各电极短路，以避免受到外电场的作用而被损坏。

❹ 焊接管脚时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场。尤其是焊接绝缘栅场效应管时，应在断电后焊接。