阙端麟

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【介绍】：

技术科学部学部委员。

半导体材料学家。男，1928年5月出生，福建福州人。浙江大学教授，高纯硅及硅烷国家重点实验室学术委员会副主任。1951年厦门大学毕业。

主要贡献：50年代末开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究，在国内首创用硅烷法制备纯硅，首次为国内电子工业提供了急需用的纯硅烷气体；70年代完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术研究，工艺简单流程短，易于保证高纯度，成为我国生产高纯硅烷的主要方法；负责并领导了极高阻硅单晶的研制并成功地研制出了硅单晶；近年来在红外探测器用掺镓硅方面又取得了新的进展。在硅单晶电学测试方面，进行了新的测试方法和理论研究，提出了又频动态电导法和间隙加热法；发展了单色红外光电导衰减技术和理论，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化。

80年代从理论探索首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术，冲破长期以来认为氮与硅在高温下会发生化学反应的思想束缚，生产出优质低成本硅单晶，成为一项由中国人发明的新技术。(1992年新增学部委员)